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发布时间:2016-11-25 07:59:00 作者:【炜盛科技】
美国犹他州大学的工程师们,已经发现了一种由一***制成、只有单原子厚度的新型平面材料。这种材料可让电荷以更快的速度通过,远胜硅与其它3D材料。相比之下,在传统电子设备上,电荷会以各个方向穿过晶体管、以及玻璃衬底上其它由硅层组成的部件。近年来,半导体行业总是笼罩在摩尔定律难以为继的阴霾之下,但是新材料的出现,或可让它迎来又一个拐点。
直到近年,工程师们才更多地将目光放到了诸如石墨烯(graphene)、二硫化钼(molybdenum disulfide)、硼墨烯(borophene)等2D材料上。
领导这项研究的Ashutosh Tiwari***称其强制电子“仅在单层上以快得多的速度通过”,是加快填补电子新材料缺口的一个重要组成部分。
与石墨烯和其它近似原子厚度的材料不同,其同时允许负电子和正正电荷穿过,因此研究团队将之描述为“现有首种稳定P型2D半导体材料”。
团队认为这种材料可用于制造比当前所使用的更小、更快的晶体管,让计算机和移动设备的运行速度提升百倍,同时温度更低、效率更高,并且延长电池的续航。
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